据芯联集成-U消息，芯联集成控股公司芯联动力日前宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件，并已向核心客户送样验证。据介绍，该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。
据芯联集成-U消息，芯联集成控股公司芯联动力日前宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件，并已向核心客户送样验证。据介绍，该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。